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特斯拉AI5芯片双版本工艺有别:三星2nm基于GAA,台积电3nm用FinFET架构

时间:2026-07-24 18:52:42来源:快讯编辑:快讯

特斯拉在推动其电动汽车与人形机器人发展的进程中,针对AI芯片的供应采取了双源化策略。这一策略旨在通过引入多个供应商,增强供应链的稳定性与灵活性,为未来产品的迭代升级提供有力保障。

此前,特斯拉AI5世代芯片的供应消息多围绕三星晶圆代工版本展开。据悉,三星晶圆代工版AI5已完成流片,且基于2nm工艺制程。该版本采用GAA晶体管技术,这种技术虽在性能提升方面具有潜力,但也意味着三星需要为其支付更高的制造成本。

与此同时,台媒《工商时报》披露了台积电版AI5的相关信息。这款芯片基于3nm节点,特斯拉选择创意电子(GUC)作为设计合作伙伴。值得注意的是,台积电版AI5的流片进度比三星晶圆代工版本早一个季度,这或许能让特斯拉在产品推出时间上占据一定优势。

由于三星晶圆代工2nm采用GAA晶体管,而台积电3nm使用FinFET架构,两个版本的AI5在芯片设计的物理实现层面存在显著差异。这种差异不仅体现在制造工艺上,还可能对芯片的性能、功耗等方面产生影响。特斯拉通过双源化供应策略,或许能够在不同技术路线中寻找平衡,为产品带来更优的综合表现。

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