三星电子在近期财报电话会议中透露，随着待审合同逐步敲定，其长期协议（LTA）有望覆盖DRAM和NAND芯片产能的60%至70%。这一比例的达成得益于数据中心等核心客户对稳定供应链的强烈需求，目前该公司已与全球五大数据中心运营商签署协议，另有五家主要客户正在洽谈合作事宜。值得注意的是，其五年期LTA合同包含每年可续约一年的灵活条款，实质上形成了动态滚动的合作模式。
产能扩张方面，三星电子第二季度DRAM产量环比提升超过10%，平均售价（ASP）上涨约40%至45%；NAND产量实现个位数增长，ASP涨幅超过60%。公司预计第三季度DRAM和NAND产能将分别环比增长5%至7%和7%至9%，持续强化市场供应能力。尽管如此，行业分析指出，受制于技术迭代周期和设备投资节奏，存储芯片新增供应量到2028年前难以出现显著突破。
供需格局的紧张态势在三星电子的预测中得到印证。由于2026年未被满足的市场需求将延续至次年，预计2027年供需缺口将进一步扩大，可能引发更严格的供应管控。这种预期已反映在当前市场策略中——服务器用固态硬盘占其NAND销售组合的比例将在年内达到60%，较2025年提升超20个百分点，凸显企业级存储市场的战略优先级。
技术迭代方面，三星电子宣布基于键合工艺和三堆栈结构的第10代V-NAND芯片将于8月进入量产阶段。这项突破性技术通过垂直堆叠160层以上存储单元，在提升密度的同时降低功耗，有望巩固其在高端企业存储市场的领先地位。业内人士认为，随着AI算力需求激增，此类高性能存储解决方案将成为数据中心升级的关键组件。
