英特尔正全力推进其位于俄亥俄州的晶圆厂综合体建设，该项目占地约1000英亩，计划于2031年实现全面运营，重点生产18A和14A等“埃米时代”制程节点。为加速建设进度，公司已推出高额加班奖金制度，旨在确保园区按时完成并实现14A工艺的大规模量产。
在先进封装技术领域，英特尔的EMIB-T方案近期取得重要进展。该技术通过在嵌入式硅桥中集成贯穿硅通孔（TSV），实现了电力和高速信号的三维垂直传输，支持处理器与内存的堆叠设计。相较于台积电的CoWoS方案，EMIB-T的成本优势显著，预计低约50%，且当前封装良率已接近90%。不过，基板良率问题仍是制约其规模化应用的关键瓶颈，目前仅维持在50%左右。
EMIB-T的基板结构由三部分组成：基础有机基板面板、介电层堆叠结构及含TSV的硅桥。基础面板由Ibiden、Shinko等供应商制造，需通过精密钻孔工艺形成硅桥放置凹槽；介电层采用味之素积层膜（ABF）标准材料；硅桥则负责实现垂直方向的信号传输。当前基板环节的良率不足，直接影响了英特尔扩大EMIB-T封装服务的计划。
据供应链消息，基板供应商Unimicron近期表示，EMIB-T仍处于早期发展阶段，当前首要任务是提升产能并优化良率。尽管面临挑战，英特尔仍计划于2027年正式启动大规模EMIB-T封装服务。与此同时，台积电也在研发类似EMIB的先进封装方案，以补充其现有的CoWoS-L产品线，进一步加剧了双方在高端封装领域的技术竞争。
英特尔的EMIB技术通过将微小硅桥嵌入有机基板，仅需在芯粒连接边缘布置高密度微凸点，即可实现芯片间的高速互联。而升级版的EMIB-T通过引入TSV结构，突破了传统二维封装的限制，为三维芯片堆叠提供了更高效的解决方案。这一技术若能突破基板良率瓶颈，或将重塑先进封装市场的竞争格局。
