铠侠株式会社与闪迪公司今日联合宣布，双方共同研发的下一代四层单元（QLC）3D闪存技术正式问世。这款基于332层NAND堆叠架构的新产品，通过创新工艺实现了存储密度的突破性提升，位密度较前代技术提高超过60%，单位面积存储容量突破37Gb/mm²。
核心突破源于自主研发的CMOS直接键合阵列（CBA）技术。该技术将CMOS逻辑电路与存储阵列分别制造于不同晶圆，再通过高精度晶圆对晶圆键合工艺实现集成。这种异构集成方式不仅提升了制造良率，更为后续性能优化奠定了基础。
在性能指标方面，新一代产品成为全球首款接口速率达4.8Gb/s的QLC 3D NAND闪存。通过采用Toggle DDR6.0接口协议与独立命令地址协议（SCA），数据传输带宽较前代产品显著提升。这种性能跃升使得大容量存储设备在持续读写场景下的响应速度得到实质性改善。
技术团队透露，332层堆叠架构的突破得益于三维晶体管结构的优化设计。通过改进电荷捕获层材料与阶梯蚀刻工艺，在保持单元可靠性的同时实现了更高的堆叠层数。配合CBA技术的异构集成优势，最终达成存储密度与性能的双重提升。
据行业分析师指出，这项技术突破将直接影响消费级与企业级存储市场格局。随着单芯片容量突破3Tb级别，固态硬盘制造商有望推出成本更低、容量更大的存储解决方案，特别在云计算、大数据等需要海量存储的领域具有显著应用价值。
