在近日举办的SEMICON Taiwan国际半导体展IC论坛上，ASML公司高管分享了其High NA极紫外（EUV）光刻技术的最新量产进展。这项被视为半导体制造领域关键突破的技术，已进入规模化应用阶段。
据ASML披露，目前已有四个客户部署了十台High NA EUV光刻设备，另有三台处于运输安装环节。自推出以来，该系列机台累计完成超过135万片晶圆的曝光作业，展现出稳定的量产能力。其中首代量产机型TWINSCAN EXE:5200B已实现每小时处理135片晶圆的生产效率，公司计划通过技术优化将这一数字提升至180片以上。
设备可靠性方面，现有High NA EUV机队的平均可用率达到84%，预计年底将提升至90%，并朝着93%的目标持续改进。这种高稳定性对于维持先进制程芯片的连续生产至关重要，尤其在3纳米及以下制程节点中，设备停机可能造成数百万美元的损失。
技术特性上，High NA EUV系统通过提升数值孔径至0.55，显著增强了成像分辨率。ASML技术团队指出，该技术可支持未来五代2D动态随机存储器（DRAM）的制程演进，同时有望减少芯片互连层的金属布线层数。这项改进不仅能降低制造复杂度，还可通过减少光刻步骤缩短生产周期。
行业观察家认为，随着台积电、三星等厂商加速布局2纳米以下制程，High NA EUV设备的部署节奏将成为关键竞争要素。ASML的产能提升计划与设备可靠性改进，或将缓解当前先进制程芯片的供应压力，为人工智能、高性能计算等领域提供更强大的算力支持。
