英特尔近日宣布，其采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻技术处理的300毫米晶圆累计数量已突破百万片。这一突破性进展距离该公司首台High-NA EUV设备完成组装仅过去两年半时间，标志着英特尔在先进制程领域的技术实力持续领先。
目前，英特尔的装备阵容包括两台ASML Twinscan EXE:5000原型机和至少一台EXE:5200B量产机型。数据显示，2025年2月时，该公司使用该技术处理的晶圆数量约为3万片，而到2026年9月已飙升至百万片以上。这一增长速度远超行业预期，凸显了英特尔在技术落地和产能爬坡方面的效率。
根据ASML今年4月发布的财报，当时全球所有High-NA EUV系统累计处理的晶圆总量超过50万片，设备可用率保持在80%以上。这意味着英特尔一家的处理量已超过全球其他所有用户的总和，进一步巩固了其在先进制程领域的领导地位。
技术验证方面，英特尔今年早些时候通过Intel 18A工艺节点完成了High-NA EUV的全面验证，并已将该技术应用于Panther Lake系列酷睿Ultra处理器的生产。7月，ASML确认英特尔成为全球首家实现High-NA EUV逻辑芯片大规模出货的企业，其Intel 18A部分工艺层的双重认证良率已达到现有NXE EUV平台水平。
尽管取得显著进展，High-NA EUV技术仍面临光罩尺寸的限制。当前设备使用的6×6英寸光罩限制了单次曝光的视场面积。为突破这一瓶颈，英特尔正牵头推动行业向6×12英寸光罩转型，该尺寸可实现26×33毫米的完整视场。然而，这一转变需要整个光罩生态系统进行重大调整，涉及基板材料、制造工艺、检测设备等多个环节，High-NA EUV设备本身也需进行相应改造。
根据ASML的技术路线图，2033年及以后推出的High-NA EUV设备仍将以6×6英寸光罩和拼接方案为基础。目前，ASML和英特尔均未确认现有或计划中的设备是否能够升级以支持更大尺寸的光罩，这一技术路径的选择将成为行业关注的焦点。
