全球半导体产业在先进制程领域的竞争持续升温，多家行业巨头正加速布局High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻技术的应用。SK海力士近日宣布，计划于2028年将该技术引入DRAM大规模生产，成为继三星电子后第二家明确时间表的韩国存储芯片厂商。这一决策被视为应对美光等竞争对手技术迭代的关键举措。
ASML作为全球唯一High NA EUV设备供应商，于本月8日牵头组建技术联盟，联合台积电、三星电子和英特尔推动12英寸光罩生态系统的标准化。该联盟旨在通过扩大光罩面积提升单次曝光效率，为3nm以下制程的量产铺路。SK海力士目前正评估加入该联盟的可能性，其发言人表示："技术路线选择需综合考虑设备成本、良率提升和生态兼容性。"
三星电子在同期发布的新闻稿中确认，将与SK海力士同步在2028年实现High NA EUV技术对先进DRAM的量产覆盖。而美国存储厂商美光则采取差异化策略，其第7代10nm级DRAM工艺1δ（1-delta）将优先导入传统EUV设备，通过多曝光技术实现制程微缩。行业分析师指出，这种技术路径选择反映了美光在设备采购成本与研发周期间的平衡考量。
随着DRAM制程逼近物理极限，High NA EUV技术成为突破瓶颈的关键。该技术通过提升数值孔径至0.55，可将光刻分辨率提升至8nm以下，同时减少多重曝光次数。据TrendForce预测，采用High NA EUV的DRAM生产线初期设备投资将增加30%，但单位芯片生产成本可降低15%。这场技术竞赛或将重塑全球存储芯片市场格局。
