四代架构演进与四大挑战：供配电半导体需求全面升级
AI服务器供配电正经历四代架构演进：第一代传统AC多级配电，五到六级变换，端到端效率约88%至92%，单机柜不超过20kW;第二代OCP Open Rack 48V架构，机柜集中供电，单机柜30kW至60kW;第三代MVR+800V过渡方案，取消工频变压器和UPS，中压直接整流到800V，BESS储能直挂母线，单机柜100kW至1MW;第四代SST+800V终极方案，采用SiC高频隔离，效率约98.5%，预计2027年系统商用。核心趋势明确：电压越来越高、变换级数越来越少、效率越来越高。
面对高压化、高效率、高功率密度、高可靠性四大挑战，安世中国定位“AIDC半导体能源基座领导者”，以完整产品线支撑AI供配电全链路。
高压化方面，传统服务器12V供电向48V、800V演进，电压提升67倍，线路损耗与线缆重量大幅降低，安世中国650V SiC、超快恢复二极管、高压MOSFET全系列覆盖800V架构。
高效率方面，电源效率目标98%，只允许2%损耗，电从电网到芯片要经过5至6次转换，每次损耗都需优化。
高功率密度方面，单机柜功率从20kW跃升至100kW至1MW，空间不变，功率翻5至50倍，器件必须越做越小。
高可靠性方面，AI大模型训练连续运行数天，电源必须支持无缝切换、不断电更换模块和浪涌防护。
ICS BG：逻辑、控制与驱动，管电的“指挥官”
安世中国ICS BG产品覆盖UPS、储能BMS、SST及服务器供电。逻辑器件采用12英寸自研CMOS逻辑工艺，具备BONA有源区键合结构、3倍可靠性裕量和全项可靠性测试通过等优势。
具体来看，74LVC1G08GW为单路2输入与门，SOT-353封装，适合紧凑AFE板单点使能;74AHC595PW为8位串入并出移位寄存器，适合UPS状态扩展、BMS电芯均衡选通、SST多路驱动扩展;74LVC08APW、74HC08D为多路与门，用于切换门控、保护门控;74HC02D为或非门，用于故障安全链取反、关断复位与故障锁存。HCS系列输入带施密特触发器，在强电磁干扰环境下抗噪能力优于标准HC系列。选型上，5V控制轨可用HC系列，3.3V或混合电压可用LVC系列，串行IO扩展可用595。在UPS中，逻辑器件可用于市电、电池、旁路使能“与”逻辑，故障“或”链取反触发切旁路或关逆变，以及串行扩展驱动面板LED或继电器;在储能BMS中，可用于过压、过流、过温与充放电使能“与”门控，过充过放关断逻辑与SR锁存，电芯均衡选通与SOC/LED指示;在SST与服务器供电中，可用于多电平功率级保护信号与PWM使能“与”逻辑，关断复位与故障锁存，数字隔离器后缓冲整形，以及多路MOSFET/IGBT驱动扩展。
Power BG：MOSFET、SiC与IGBT，扛电流的“大力士”
在PSU次级同步整流和OR-ing中，低压MOSFET是关键。安世中国的30V系列导通电阻1mΩ级，适合电源初级和次级大电流开关;40V至80V系列兼顾耐压与低导通电阻，适合LLC谐振变换和同步整流;25V系列导通电阻不到1mΩ，适合大电流输出侧同步整流。安世中国MOS明星产品年销量超8500万颗，基于12英寸工艺平台，具备超低Rdson、超强鲁棒性和稳定交付能力。据测算，全球约2千万台AI服务器、每台2个PSU，对应AI服务器电源MOSFET市场规模约5亿颗。
面向SST固态变压器，安世中国SiC模块覆盖整流级AC-DC、隔离级DC-DC(DAB)、输出级DC-AC三级架构。产品包括NT06T12Y2M1、NT04T12Y2M1、NT06T23Y2M1，均为1200V耐压，采用Easy2B模块，具备超低封装寄生电感，可抑制dv/dt与关断尖峰，匹配SiC高速开关特性。在UPS领域，安世中国IGBT提供650V和1200V两大电压等级，覆盖多种电流规格。
BIP BG：二三极管与防护器件，基层“螺丝钉”
安世中国二三极管在供配电中具备四大优势：一是低损耗高效整流，PMEG肖特基压降低至0.25V，零反向恢复，比硅二极管损耗低30%至40%，助力PSU达到97.5%钛金效率;二是超小封装，CFP贴片封装比SMA/SMB省38%至69%面积，DFN2020D替代SOT89/223，PESD仅0.6×0.3mm，助力电源功率密度从50W/in³向100W/in³迈进;三是宽电压覆盖，肖特基20V至100V、TVS最高1500V浪涌、齐纳2.7V至43V;四是车规品质，全系列AEC-Q101车规认证可选，结温150℃至175℃，12英寸晶圆厂规模化生产，国产供应链稳定交付。
典型器件包括：PTVS系列TVS用于雷击浪涌防护，最高1500W耐受，响应小于1ns;PMEG系列肖特基用于电流管理、OR-ing与低压整流，压降低至0.25V，零反向恢复;BZT系列稳压管用于电压稳定，精度±2%，2.7V至43V宽电压;PESD系列ESD用于接口静电防护，±15kV防护，超低电容小于1pF;BC系列NPN三极管用于驱动控制，低饱和压降小于0.2V，120款型号;BAS系列开关二极管用于高速信号开关，trr低至1至4ns，75V至100V耐压。安世中国以全链路产品矩阵，为AI服务器供配电提供从控制、保护到功率转换的完整解决方案。
