在AI技术快速发展的背景下，芯片电感市场正迎来前所未有的变革。中信证券最新研究指出，多相TLVR电感已成为AI芯片三次电源领域的核心器件，其价值量已超越传统高容MLCC，国产供应链在这一领域已占据领先地位。随着AI算力需求的指数级增长，芯片电感市场预计将在2025年至2028年间实现超过10倍的扩容，市场规模从25亿元跃升至300亿元以上。
驱动这一市场扩张的核心因素来自需求侧与供给侧的双重推动。需求端，互联网用户规模扩张与网络应用多样化导致数据量激增，数据中心对计算能力的需求持续攀升；供给端，芯片制程向更先进节点演进，单位面积晶体管数量大幅增加，同时新架构设计提升了并行处理能力，共同导致芯片功耗总额显著上升。这种变化直接推动了电感用量的增加，尤其是三次电源系统面临损耗、散热、空间布局和高瞬态响应四大挑战，促使电感技术加速迭代。
三次电源系统的技术瓶颈尤为突出。随着电流增大，损耗问题日益严峻；高功率密度带来散热压力；主板空间限制要求器件小型化；而电流快速变化引发的电压跌落（Vdrop）则可能影响GPU稳定运行。为应对这些挑战，AI芯片电感技术呈现三大升级方向：从单相电感向多相电感演进，供电方式从水平布局转向垂直供电（VPD），以及从传统NON-TLVR电感向TLVR电感转型。这些升级不仅提升了供电效率，还有效解决了空间与性能的矛盾。
在技术升级与市场扩容的双重作用下，AI芯片电感产业呈现出量、价、结构三重驱动特征。算力提升直接拉动电感需求量增长，芯片功耗增加推动单位电感用量上升，而性能要求升级则带动高价值量电感产品替代传统方案。这种趋势下，多相TLVR电感凭借其技术优势，在三次电源系统中的价值占比已超过高容MLCC，成为产业链中更具增长潜力的环节。
国产供应链在这一变革中表现亮眼。以铂科新材、龙磁科技为代表的企业已成功进入全球核心客户供应链，其技术实力与产能规模均处于国际领先水平。相比MLCC器件厂商，这些电感企业在AI芯片领域的竞争优势更为明显，不仅在价值量更高的多相TLVR电感市场占据先机，还通过材料-器件一体化布局构建了更高壁垒。这种模式使企业能够稳定供应高性能材料，同时快速响应下游客户的迭代需求，从而深化与客户的技术绑定。
材料创新成为企业竞争的关键。具备上游原材料布局的企业，通过垂直整合实现了从材料研发到器件制造的全链条控制。这种模式不仅提升了产品性能的一致性，还缩短了研发周期，使企业能够更高效地匹配英伟达、谷歌、阿里、华为等AI巨头的研发需求。随着这些企业从传统制造向研发创新转型，其科技属性显著增强，有望在AI浪潮中复制海外头部企业近百年的成长路径，实现持续快速增长。
