第26届中国国际工业博览会（简称“CIIF中国工博会”，以下简称“工博会”）于10月12日至16日在国家会展中心（上海）举行。本届工博会全新打造首届集成电路展（“国芯展”），中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，证券代码：688012）携平台化产品矩阵重磅亮相，并凭借突破性技术成果斩获2026工博会CIIF大奖，成为本届工博会十大获奖企业之一，也是半导体设备赛道唯一获此殊荣的企业。
展会期间，中微公司自主研发的Primo UD-RIE®电容耦合等离子体（CCP）刻蚀设备一举拿下2026工博会CIIF大奖与2026“国芯展”创新成果奖两项重磅荣誉。中微公司董事长兼总经理尹志尧博士应邀出席首届国芯展高峰论坛并发表重要讲话，强调要坚持技术创新、产品的差异化与知识产权保护，推动半导体设备产业发展。这不仅是中微公司技术实力的又一次有力验证，更是平台化战略全面落地、产品覆盖度持续提升的集中呈现。随着产品覆盖度从刻蚀延伸至薄膜、湿法、量检测等多个核心赛道，中微公司以更全面的技术布局和更深的产业协同，为半导体设备产业的发展注入强劲动力。
Primo UD-RIE® 连获两奖，刻蚀设备技术实力再获认可
本届工博会上，中微公司 Primo UD-RIE® 电容耦合等离子体刻蚀设备同时荣获2026工博会CIIF大奖与2026“国芯展”创新成果奖。
CIIF大奖是工博会最高荣誉之一，旨在从各专业奖优胜作品中择优遴选，重点选拔具备技术突破性、行业引领性、实践应用性的标杆产品与技术。该奖项授予代表全球工业与信息化融合的前沿水平产品，获奖成果须在技术创新或模式创新方面实现重大突破，已形成示范应用或规模商用，并对所属行业及区域发展产生显著引领带动效应，是国际工业领域极具权威性的荣誉象征。
2026“国芯展”创新成果奖则覆盖设计、制造、封测、装备、材料全产业链，聚焦国产替代与关键技术突破，旨在助力补齐产业链短板、推动产业集群发展。该奖项从全产业链申报成果中严格筛选，中微公司刻蚀设备凭借突出的自主可控能力与规模化应用成果获此认可。
Primo UD-RIE®是基于完全自主知识产权开发的12英寸高端CCP刻蚀机，基于成熟的Primo HD-RIE®设计架构进行了全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过进一步升级中微公司在2004年首创的“甚高频去耦合反应离子刻蚀 D-RIE技术”，采用更低频率、更大功率的射频脉冲电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。Primo UD-RIE®引入了多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层调节边缘深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边缘的合格率。其上电极多区温控系统，优化了高射频功率下的散热管理，有效提升了设备的稳定性和可靠性。同时，Primo UD-RIE®还采用了全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件，不仅提高了抗电弧放电能力，还显著提升了晶圆边缘的良率，为生产先进存储芯片提供了有力保障。双奖加身，既是对单项产品技术突破的嘉奖，更是对中微公司平台化研发体系与规模化交付能力的综合肯定。
尹志尧董事长出席首届国芯展高峰论坛，强调坚持技术创新，产品差异化和知识产权保护
作为“国芯展”的核心活动，“芯启新质生产力，链筑全球新格局”集成电路高峰论坛于10月12日下午同期举行，中微公司董事长兼总经理尹志尧博士应邀出席并发表重要讲话。
在题为“坚持技术创新，产品差异化和知识产权保护，为半导体设备产业的持续发展而奋斗！”的主旨演讲中，尹志尧博士表示，中微公司始终站在先进制程工艺发展的最前沿，绝不抄袭和复制国外的标配设备，一直坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护。目前，中微公司已从单一刻蚀设备厂商稳步成长为综合半导体设备平台企业，中微公司已累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机。还包括24种薄膜设备，如各种MOCVD，PECVD，LPCVD，ALD， EPI设备，以及CMP和先进封装的光学量检测设备等。截至2026年6月底，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产，服务海内外百余家客户，刻蚀和薄膜设备的加工精度已经达到了原子级水平。
此次高峰论坛上，中微公司资深副总裁丛海代表公司与上海华虹（集团）有限公司（以下称“华虹集团”）签署战略合作协议，尹志尧博士与华虹集团高层共同见证了此次签约。公司将与华虹集团在设备与制造环节实现更紧密的协同创新，建立长期稳定的战略合作伙伴关系，共同探索互利共赢的产业协同新模式。“十五五”期间，上海将集成电路列为三大先导产业之首，提出“全链突围、集群进阶”的发展方向，此次签约正是中微公司响应这一战略部署、深度融入产业链协同发展的具体实践。
两款新品成展会焦点，平台化布局彰显综合实力
展会期间，中微公司新近发布的两款高端半导体微观加工设备——Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀设备与Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备，引发了行业的广泛关注。
其中，Primo XD-RIE™70到90比1极高深宽比刻蚀机依托完全自主知识产权研发打造，在多项有专利保护的核心技术上实现突破，适配先进存储芯片的高端制造需求。凭借甚高频射频优化刻蚀选择比、大流导结构拓宽工艺窗口等核心技术优势，Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀机能够全方位适配先进存储器件的迭代升级需求，为高端三维存储芯片制造提供技术领先、稳定可靠的刻蚀工艺解决方案。
中微公司的Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备，填补了公司原子层沉积钼工艺领域的技术空白。凭借高出货效率、紧凑占地与低化学品耗用等综合优势，再配以对翘曲晶圆的良好适配能力，Prefima Unicore™ AM为存储厂商应对超高层数堆叠的技术挑战提供了富有竞争力的选项，有望在全球存储龙头集中向钼基字线切换的产业窗口期内率先卡位。与此同时，中微公司已经开发和正在开发更多的薄膜设备，在五年内将开发出二十多种新的高端薄膜设备，助力7纳米到3纳米以及更先进的逻辑器件和300层到500层以上及更先进的存储器件的需求。
目前，中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升，企业发展迈入规模化新阶段。未来五年计划通过“有机生长和外延扩展”，持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀，薄膜，湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场。
未来，中微公司将继续秉承“五个十大”的企业文化，使企业总能量、对外竞争的净能量最大化，实现高速、稳定、健康、安全的高质量发展，在规模、产品竞争力和客户满意度上成为国际第一的微观加工设备公司。
