与传统DRAM不同，高带宽内存的制造流程涉及多道复杂工序：先要单独制作DRAM芯片，再将其垂直堆叠起来，随后还要经过封装和最终测试。正是凭借这种堆叠结构，HBM才能在数据处理速度和带宽上实现大幅跃升。但工序越多，良率损耗的风险也越大，一旦良率偏低，就意味着需要投入更多生产资源，成本随之水涨船高。
作为第六代高带宽内存，HBM4的制造难度较以往产品明显提高。业内普遍认为，在量产起步阶段能否稳住良率，是决定其大规模生产竞争力的关键变量之一。
据韩国媒体Chosun Biz报道，SK海力士的HBM4产能良率目前已提升至70%以上。不过，SK海力士官方尚未正式公布良率数据，上述数字出自行业渠道的消息。
在行业观察人士看来，70%是一个颇具分量的数字。按相同口径测算，良率从60%提升到70%，意味着在同等生产投入下，产出的合格产品数量可增加约16.7%。当然，实际生产并不能只盯着良率，产品性能、制造成本和客户需求之间的平衡同样不容忽视。
这一良率进展也被认为将改变HBM4领域的竞争态势。SK海力士、三星和美光目前都在争夺下一代高带宽内存市场，谁先跨过量产门槛，谁就能在成本控制和订单争夺中掌握更多筹码，三家公司之间的较量有望进一步升温。
SK海力士方面此前曾释放过积极信号。在10月28日召开的第三季度财报电话会议上，该公司表示，HBM4在前段和后段工艺上的良率均位居业界前列，实际表现超出原定计划，公司因此上调了内部目标。
