在北京举行的第二十三届中国国际半导体博览会（IC China 2026）上，存储厂商长鑫科技带来一组面向AI时代的内存产品，覆盖数据中心、端侧AI与智能汽车三大核心场景，RDIMM、LPDDR6、车规级LPDDR5X等悉数登场。
展会同期举行的论坛上，长鑫科技副总裁骆晓东提出了他对行业走向的判断：存储产业的竞争规则已经改写，厂商之间的较量不再局限于单一参数，而是转向全场景的产品布局能力。能否基于对应用系统的深度理解，打造适配不同层级、不同场景的差异化存储方案，正在成为重塑市场格局的核心变量，也为行业参与者打开了换道超车的窗口。
端侧产品是此次展台的一大看点。长鑫今年8月正式推出LPDDR6，这是业内最新一代LPDDR产品，并已在小米18 Fold旗舰手机上完成全球首发量产。该产品单颗容量16Gb，最高速率12800Mbps，带宽较上一代LPDDR5X提升60%，功耗降低20%。骆晓东介绍，凭借更高的原生速率和双子架构设计，LPDDR6在“带宽容量比”这一关键指标上表现突出，未来可延伸至智能驾驶、边缘计算以及对存储能效要求较高的服务器场景。
LPDDR5X产品线同样在推进。长鑫2026年基于第五代技术平台（G5）推出两款新品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景，目前均已进入规模量产阶段。全球首款AI智能体手机努比亚NaviX Ultra搭载的正是长鑫LPDDR5X，为“听得懂、能干活、记得住、够安全”的端侧AI交互体验提供存储支撑。
车规赛道的技术门槛更高。长鑫展出的车规级LPDDR5X将高速传输与大容量结合：带宽用于支撑感知数据的及时缓存与调用，为处理器感知融合和算法计算提供数据底座；充足的运行空间则承载座舱程序、界面与工作数据。
针对车载平台的集成设计需求，长鑫给出两款封装方案。一款采用315焊球封装，通过优化I/O布局实现低寄生参数，信号传输更稳、干扰更小，封装尺寸也更紧凑，兼顾信号完整性与电源效率；另一款采用441焊球封装，配置4个独立通道，总数据位宽64bit，多通道并行架构支持高速并行传输，可承载更大的数据交互吞吐量，满足车载域控的高带宽需求。两款方案在连接布局与接口配置上互为补充，客户可结合平台特点灵活选型。
可靠性方面，长鑫车规级LPDDR5X已通过AEC-Q100 Grade 2等权威认证，并获得ISO 26262 ASIL D产品功能安全认证，相关管理体系涵盖ISO 9001、IATF 16949及QC 080000。目前长鑫车载内存产品已从LPDDR4X稳步演进至LPDDR5X，LPDDR6在车载场景的应用创新也在加快。
围绕产品阵容背后的产业判断，骆晓东在题为《算力分层时代，探索DRAM产品新边界》的主旨演讲中作了系统阐述。他表示，受全球算力需求激增影响，各市场的增长逻辑已明显分化：服务器优先满足AI大模型、智算中心等高价值需求，直接带动高端存储和高性能芯片需求持续走高；汽车市场受智能化驱动，预计到2030年车载存储和车规芯片需求的年复合增速约30%；手机、PC等消费电子市场的AI功能渗透在加快，但仍保持明显的消费周期波动特性。
应用层面同样呈现分层特征。AI大模型在不同阶段对内存的要求并不相同：Decode推理逐字生成回答，瓶颈在内存带宽；Prefill一次性读入并理解输入，瓶颈转向算力；大参数多卡训练则受内存容量和互联能力制约。没有一种内存产品能在所有方向同时做到最优，供给端必然走向产品分化。
在长鑫产品矩阵中，服务器RDIMM被定位为“算力数据传输的第一通道”。AI推理正在重构服务器内存的价值——RDIMM从系统主内存的“配套件”，升级为大模型长上下文的“核心缓冲区”。
这一变化与Agentic AI的兴起直接相关。过去对话式AI一轮结束即可清理或转存KV Cache；Agentic AI则是高频长程自回归，用户给出任务后，Agent自主展开思考链、调用搜索、编写运行代码、报错后自我纠错、继续调用工具，单个任务可能涉及数十轮乃至上百轮循环。Gartner 2026年3月的研究显示，Agentic工作流每个任务消耗的Token是标准聊天机器人的5至30倍，一次用户请求可能触发10至20次顺序模型调用。内存占用随任务运行持续增长，不再是“用完即释放”。
服务器配置逻辑随之生变。过去以训练为主，GPU算力高度饱和，CPU与GPU配比常为1:4甚至1:8；而在Agentic AI推理与端到端业务流中，为应对复杂调度，业界正在提高CPU配比，向1:2甚至1:1靠拢。作为直连CPU的系统主内存，RDIMM单机插槽数量与大容量条装配率随之倍增。
长上下文推理进一步放大了这一趋势。单人短对话的KV Cache只有几十兆；当上下文拉长到128K甚至1M Token，或出现千万人并发时，一个活跃请求的KV Cache可达几GB到十几GB，几十个并发长会话就能占满整台服务器的GPU HBM。工业界因此采用分级卸载：HBM只保留当前生成Token的极少数活跃上下文；用户长时间未访问的冷KV Cache被“卸载”到数百GB乃至更大容量的RDIMM主内存中，待会话重新激活时快速拉回；轮到该用户时，CPU下发指令，上下文数据再由RDIMM搬运到HBM中参与运算。RDIMM由此坐实了大模型长上下文“核心缓冲区”的角色。
产品节奏上，长鑫RDIMM产品线多线并进：DDR5颗粒完成24Gb到32Gb迭代；RDIMM模组实现32GB到128GB主流容量、5600Mbps到8000Mbps速率档位全覆盖；MRDIMM覆盖128GB和192GB，速率最高12800Mbps，切中服务器和数据中心对大容量、高速率的需求。
从全球范围看，主流服务器内存正处于稳定升容周期，低容量占比收窄，中高容量渗透率提升，RDIMM市场价值重心持续向高容量段转移。这一趋势背后，是AI推理把内存从“容量配置项”推成了“性能关键项”。
支撑多场景布局的，是长鑫在底层架构上的长期积累。长鑫科技总裁曹堪宇曾在今年10月的一场公开活动中介绍，长鑫自成立以来即启动4F²研究和专利布局，公开专利族超过300件，数量领先海内外厂商，并于2021年发表中国大陆首篇4F²架构相关论文。
4F²架构最核心的特色，是长鑫自研的VSG（Vertical Surrounding Gate）垂直环绕栅极晶体管。这种晶体管采用垂直包围沟道结构，栅控能力更强，可解决DRAM存储单元漏电与短沟道效应的痛点；竖立的晶体管还有助于面积微缩，相较主流6F²架构，同面积存储密度可提升30%—50%。配套的混合键合技术自2019年起独立自主研发，公开专利数量进入全球前十；2025年在IEDM发表论文，首次在12英寸晶圆平台完成DRAM与CMOS晶圆级键合实验验证。
已量产的第五代技术平台（G5）此次也在展台出现。该平台依托四重曝光工艺，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，达到全球顶尖水平的DRAM量产制程，每片晶圆产出的裸片数量较上一代平台提升至少50%，产品竞争力与经济效益随之增强。
技术路线图同样在推进。长鑫在第三季度业绩交流会中表示，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台G6已完成工程样片验证——G5平台量产的同时，下一代平台的工程验证已经落位。长鑫将4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，预计2026年年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM。服务器级RDIMM需要支持7×24小时不间断运行、经受带电热插拔的电压冲击，与不同厂商、不同代际的CPU和主板完成数百项严苛兼容性测试，并确保高速传输时信号在较长模组走线上不衰减、不误码。新架构还将带动设计、工艺、设备、材料等多环节协同创新，推动国产存储产业链变革。
高强度的产品与技术投入，有业绩数据作为支撑。2026年第三季度，长鑫科技实现营业收入约1187.14亿元，同比增长613.18%；归母净利润约544.35亿元。前三季度累计营业收入2690亿元，同比增长738%；归属于母公司股东的净利润1320亿元。研发方面，前三季度累计投入110.71亿元，同比增长73.03%。
