【ITBEAR】9月12日消息，三星电子最近官方宣布，已启动第九代QLC V-NAND闪存芯片的大规模生产，单芯片容量高达1Tb，即128GB。值得一提的是，三星仅在四个月前才开始量产同代的TLC V-NAND闪存，如今再度突破技术界限。
新款QLC V-NAND闪存之所以能实现如此高的容量和性能，得益于多项前沿技术的融合。其中包括创新的通道孔蚀刻技术，通过双堆栈架构使得单元堆叠层数达到业界领先水准。同时，三星对存储单元面积和外围电路进行了精细优化，进而将位密度提升了约86%，大幅提高了存储效率。
据ITBEAR了解，三星在模具设计上的改进同样不容小觑。新款闪存能够灵活调整存储单元的字线间距，确保单元层内特性的一致性，进而提升数据保持性能约20%，并显著增强了产品的整体可靠性。
此外，三星还引入了预测程序技术，该技术能够智能预测并控制存储单元的状态变化，有效减少无效操作，从而使得写入性能翻倍，数据输入/输出速度激增60%，为用户带来更为流畅的数据处理体验。
在节能减排方面，新款QLC V-NAND闪存亦表现出色。通过采用低功耗设计，降低驱动电压，并精准检测必要位线，数据读取功耗分别降低了约30%和50%，积极响应了绿色环保的号召。
三星表示，这款高性能的第九代QLC V-NAND闪存芯片将率先应用于消费电子产品中，并逐步向UFS、PC以及服务器市场拓展，助力全球存储技术的升级换代。
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