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英特尔18A制程大揭秘:性能飙升25%,功耗直降36%能否领跑半导体新赛道?

时间:2025-04-21 21:21:12来源:ITBEAR编辑:快讯团队

英特尔在近期举办的2025年VLSI研讨会上,详细披露了其最新的18A制程节点技术,标志着半导体领域的又一大步迈进。此番技术展示,明显剑指台积电2nm制程,竞争态势显著。

英特尔18A制程技术的核心在于两项革命性创新:RibbonFET环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。RibbonFET技术通过全环绕栅极设计,实现了对电流前所未有的精准控制,进而大幅提升了晶体管的性能和能效。而PowerVia技术更是业界的一大突破,它将供电线路巧妙地转移到了芯片的背面,此举不仅为正面布线腾出了更多空间,还显著提高了单元封装密度和电力传输的稳定性。

在PPA(性能、功耗、面积)的衡量标准下,Intel 18A制程展现出了卓越的表现。在基于标准Arm核心架构的芯片测试中,相较于以往,该制程在1.1V电压下实现了25%的速度提升和36%的功耗降低。同时,其面积利用率也高于前代Intel 3制程,预示着更高的面积效率和更高密度设计的可能性。

市场分析显示,Intel 18A制程的性能值达到了2.53,略高于台积电的N2制程的2.27。尽管在晶体管密度方面,Intel 18A可能稍逊于台积电,但凭借PowerVia背面供电技术的创新,Intel 18A在面积效率和电力传输稳定性方面展现出了显著优势。TechInsights的分析同样证实了Intel 18A在性能上的领先地位。

据悉,英特尔计划首先在Panther Lake SoC和面向高性能计算的Xeon Clearwater Forest产品中采用Intel 18A制程。市场预测,搭载该制程的终端产品最早将于2026年面世。若良率问题得以妥善解决,Intel 18A制程有望成为台积电2nm制程的有力对手,并在云计算、人工智能等领域助力英特尔市场份额的进一步增长。

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