近日，科技界传来一则重大合作消息，Intel与软银携手，致力于开发一种创新的堆叠式DRAM解决方案，旨在挑战并可能取代当前AI处理器中广泛使用的HBM内存。
为此，双方共同创立了一家新公司——Saimemory，它将融合Intel的先进技术以及东京大学等日本学术机构的专利成果，共同推进这一革命性产品的研发。
Saimemory的目标是，在2027年之前完成原型设计，并对量产的可行性进行全面评估，以期在2030年之前将该解决方案推向商业化市场。
HBM内存以其高效处理大量暂存数据的能力，在AI处理器中占据主导地位。然而，其复杂的制造工艺、高昂的成本、易过热以及高耗电量等问题，限制了其更广泛的应用。针对这些挑战，Intel与软银计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接技术，推出一种存储容量至少翻倍、耗电量降低40%、成本大幅降低的新型内存解决方案。
在新公司的股权结构中，软银将成为最大股东，投资约30亿日元。公司计划初期投入约150亿日元的研发经费。软银对这项技术寄予厚望，若研发成功，希望优先获得新产品的供应权。
面对AI芯片市场对HBM内存的强劲需求与持续紧张的供应状况，Saimemory期望通过其替代产品，在日本数据中心市场占据一席之地。这不仅标志着日本在内存芯片领域的一次重要突破，也是其20多年来首次尝试重返内存芯片主要供应国之列的雄心壮志。
