理想汽车近期在第37届ISPSD国际会议上，展示了其在车规级碳化硅芯片领域的最新研究成果。此次发布的论文，题为《针对1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片的击穿电压异常分析与筛选技术探索》，出自理想汽车自研的SiC芯片团队之手。
论文详细阐述了碳化硅芯片失效的原因及过程，并揭示了团队如何利用创新的“CT机”制造技术，实现对问题芯片的精准识别与剔除。这项技术不仅提升了芯片筛选的准确率，更为提升碳化硅芯片的可靠性奠定了坚实基础。
更为引人注目的是，理想汽车团队在论文中提出了一个根本性的解决方案：从碳化硅晶体的生长工艺入手，以期全面提高行业内SiC芯片的可靠性表现。这一前瞻性的思路，无疑为碳化硅芯片的研发和应用带来了新的曙光。
理想汽车表示，随着电动汽车高压平台技术的不断发展，SiC芯片的大规模应用已成为必然趋势。为此，理想汽车正深度结合汽车应用需求，致力于研发更安全、更高效的SiC芯片，旨在为用户带来更加无忧的出行体验。
事实上，理想汽车在碳化硅芯片领域已经取得了显著的进展。2025年2月，理想汽车自研的碳化硅功率芯片成功装机，并同步在苏州半导体生产基地实现了碳化硅功率模块的量产。与此同时，常州电驱动基地也下线了集成该技术的新一代电驱动总成。这一成果直接应用于理想汽车的首款纯电MPV车型——理想MEGA，该车型凭借800V SiC高压平台，实现了5C快充和百公里仅15.9kWh的超低能耗，四驱车型的能耗甚至低于多数纯电轿车。
为了确保碳化硅器件的稳定供应，理想汽车采取了“自研+合作”的双轨并行模式。一方面，与湖南三安半导体共同成立了苏州斯科半导体，规划年产能达240万只碳化硅半桥功率模块，预计2024年投产，以满足高压纯电平台的需求。另一方面，理想汽车还与意法半导体和安森美等全球领先的半导体供应商签署了长期供货协议，以确保SiC MOSFET和EliteSiC 1200V裸芯片的稳定供应，为下一代800V车型的研发和生产提供有力支持。
