【ITBEAR】9月3日消息，韩国科技巨头三星电子与SK海力士正联手引领下一代移动内存技术的革新。据悉，两家公司均计划在2026年后推出采用新型“类HBM式”堆叠结构的移动内存，以应对日益增长的智能设备端侧AI处理需求。
三星电子所研发的LP Wide I/O内存，以其惊人的512bit位宽成为市场焦点，这一数字达到了现有LPDDR内存的八倍。同时，该产品还实现了I/O密度和带宽的显著提升，预计将在2025年初完成技术准备，并随后进入量产阶段。SK海力士也不甘示弱，其推出的VFO技术通过缩短导线长度和优化封装厚度，实现了能效的显著提升。
据ITBEAR了解，新一代移动内存的设计将紧密围绕移动处理器的需求展开。这意味着，未来的移动DRAM市场将更加注重定制化供应，以满足不同合作伙伴的特定需求。这种趋势有望为整个行业带来更为灵活和高效的解决方案。
目前，尽管具体如何将这些高性能移动内存与处理器相结合尚待揭晓，但行业内普遍预期，类似HBM的先进封装技术将在这一过程中发挥关键作用。无论是采用2.5D封装还是3D垂直堆叠，这些新技术都将为移动设备带来前所未有的性能提升。
