扬杰科技近日宣布，其SiC车规级功率半导体模块封装项目于5月9日正式破土动工。该项目总投资额高达10亿元人民币，占地面积约为62亩，并规划有超过11.2万平方米的建筑面积。此次项目的核心在于开发车规级框架式和塑封式IGBT模块，以及SiC MOSFET模块等，这些均属于第三代半导体产品的范畴。
该项目旨在通过与国际标杆企业对标，将产品技术指标提升至接近国际领先水平，从而实现进口产品的国产替代。此举不仅展示了扬杰科技在半导体技术领域的深厚积累，也体现了其在推动国内半导体产业自主可控发展方面的坚定决心。
扬杰科技的这一举措，无疑将对国内半导体产业的发展产生深远影响。随着新能源汽车产业的蓬勃发展，对高性能功率半导体模块的需求日益增长。此次项目的实施，将有助于提高国内在该领域的自给率，降低对进口产品的依赖，进一步推动国内半导体产业的蓬勃发展。
