近日，在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲场活动中，台积电分享了关于首代定制HBM内存的技术规划，引发行业关注。这一动向与美光首席商务官Sumit Sadana此前提出的观点形成呼应，双方均认为定制化HBM技术将在HBM4E世代实现商业化应用，台积电将其产品命名为C-HBM4E。
针对HBM4世代的产品布局，台积电推出了两种差异化制程方案的基础裸片（Base Die）。其中N12FFC+制程主要面向主流市场，而采用N5制程的方案则专注于满足高性能计算需求。这两种技术路径为不同应用场景提供了灵活选择，体现了台积电在存储芯片领域的技术深度。
在定制化HBM4E（C-HBM4E）的研发中，台积电创新性地提出将内存控制器（MC）直接集成至基础裸片的设计理念。为实现这一目标，公司计划采用更先进的N3P制程工艺，据称该方案可使能效表现达到HBM3E基础裸片的两倍水平。同时，C-HBM4E的工作电压将进一步优化至0.75V，较现有HBM4标准降低约13%，在功耗控制方面取得突破。
这项技术革新主要针对计算芯片面积优化需求，通过高度集成化设计减少外围组件占用空间。行业分析师指出，随着AI算力需求的持续增长，存储器与计算单元的协同效率已成为制约系统性能的关键因素。台积电的定制化方案通过制程工艺升级与架构创新，为下一代高带宽存储器提供了新的发展路径。
