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中国电科55所突破技术瓶颈 硅基氮化镓射频芯片量产交付超五百万颗

时间:2026-06-08 01:38:59来源:互联网编辑:快讯

中国电科55所近日宣布,其自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片已实现规模化交付,累计出货量突破五百万颗。这一成果标志着我国在高端射频芯片领域取得重大突破,为空天地一体化信息网络建设提供了关键技术支撑。

作为未来6G通信、商业航天、低空经济及应急通信的核心基础设施,空天地一体化网络对功率放大器芯片的性能提出严苛要求。该芯片需同时满足高功率、高效率、超宽频等特性,直接决定通信系统的传输速率、覆盖范围和运行稳定性。随着我国相关产业的快速发展,市场对低成本高性能射频芯片的需求呈现爆发式增长态势。

科研团队经过多年技术攻关,成功突破材料外延生长、芯片架构设计、工艺验证及可靠性测试等关键环节,构建起完整的自主技术体系。研发的系列化产品覆盖卫星通信载荷、低空平台终端、地面信关站及智能终端等多个应用场景,形成完整的解决方案矩阵。

该系列芯片采用硅基氮化镓材料体系,在保持高功率密度的同时,将工作频段扩展至毫米波频段,能量转换效率较传统方案提升30%以上。通过创新性的电路拓扑设计,芯片在高温、强辐射等极端环境下仍能保持稳定性能,有效解决了高端射频芯片产业化过程中的可靠性难题。

目前,相关产品已在多个国家重大工程中完成验证,其技术指标达到国际先进水平。这款芯片的规模化应用将加速推动我国商业航天、低空经济等战略性新兴产业发展,为构建全域覆盖、高速互联的下一代信息网络奠定坚实基础。

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