在近日举办的VLSI（超大规模集成电路）国际研讨会上，英特尔代工部门披露了其先进制程技术的最新突破。作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，Intel 18A-P制程已正式进入风险试产阶段，标志着英特尔在晶体管架构创新领域迈出关键一步。该制程通过整合全环绕栅极（GAA）晶体管与背面供电（BSPD）技术，为下一代芯片性能提升奠定基础。
在芯片微缩技术展示环节，英特尔重点呈现了三项前沿成果。其单片式互补场效应晶体管（CFET）反相器采用垂直堆叠设计，将NMOS与PMOS器件以45nm栅极间距集成，实现了晶体管密度的显著提升。这一突破为未来逻辑芯片的持续微缩提供了可行路径，有望在相同面积内集成更多晶体管。
另一项关键技术展示聚焦于异质集成领域。英特尔成功在300mm晶圆上实现氮化镓功率器件与硅基逻辑的单片集成，其中包含约1,000个逻辑门的数字控制模块。这种异构集成技术可同时满足高功率处理与复杂逻辑运算需求，为电源管理、射频前端等应用场景开辟新可能。
在互连技术方面，英特尔推出的减成法钌互连工艺通过引入空气间隙结构，使电容较传统铜互连降低约35%，同时实现显著的频率提升。该技术通过优化金属层间的绝缘介质，有效减少了信号传输中的能量损耗，为高频计算场景提供更高效的解决方案。这些技术突破共同展现了英特尔在先进制程领域的持续创新能力。
