在全球半导体产业加速迈向先进制程的当下，芯片内部结构的精密化程度持续提升，电性失效分析已成为保障芯片研发效率、提升良率的核心环节。近日，合肥本土企业安徽凌光红外科技有限公司（以下简称“凌光红外”）凭借技术创新突破，正式推出国内首款集成化电性失效分析设备——LUXET VERITAS微光显微镜及激光诱导电阻变化（EMMI+OBIRCH）二合一显微镜，为集成电路产业自主化发展注入新动能。
作为深耕光学成像与精密检测领域的创新企业，凌光红外持续聚焦电性失效分析核心技术攻关。此前，公司已陆续推出锁相红外显微镜、微光显微镜等系列产品，多项性能指标达到国际领先水平。此次发布的二合一设备通过技术融合创新，首次将EMMI微光检测与OBIRCH激光诱导电阻变化两大主流功能集成于同一平台，实现了“一机两用”的突破性设计，可全面覆盖半导体全链条检测需求。
据技术团队介绍，LUXET VERITAS在硬件配置上搭载了深度制冷近红外相机与自主研发的1.35倍大口径物镜。其EMMI模块具备纳安级微弱漏电定位能力，可高效识别PN结击穿、闩锁效应、栅极氧化层漏电等典型失效问题；OBIRCH模块则采用1300nm标准激光波段与500mW额定功率，实现pA级超高精度电流放大测量，精准排查金属线路、导通孔等隐蔽缺陷。这种“双模协同”的设计显著提升了检测效率，为芯片研发企业提供了更全面的解决方案。
自2025年入驻合肥科大硅谷片区以来，凌光红外加速推进核心技术产业化进程。公司多款产品先后获评合肥市“三新”产品、安徽省首台套重大技术装备国际先进认定，并通过产业链专场场景对接会与本地半导体龙头企业建立深度合作。目前，其设备已逐步应用于合肥集成电路产业链的多个关键环节，为国产高端半导体检测设备的本地化应用推广奠定了坚实基础。
业内专家指出，随着先进制程芯片的广泛应用，电性失效分析设备的精度与集成度将成为制约产业发展的关键因素。凌光红外此次推出的二合一设备不仅填补了国内市场空白，更通过技术融合创新为行业提供了新的发展范式，有望推动国产半导体检测设备向更高水平迈进。
