安徽凌光红外科技有限公司近日在集成电路检测领域取得重大突破，正式推出国内首款LUXET VERITAS微光显微镜及激光诱导电阻变化（EMMI+OBIRCH）二合一显微镜。这款集成化设备的问世，标志着我国在电性失效分析技术领域实现关键性自主创新，为半导体产业高质量发展注入新动能。
随着全球半导体产业向先进制程迈进，芯片内部结构复杂度呈指数级增长，电性失效分析已成为制约研发效率与产品良率的核心环节。凌光红外通过持续技术攻关，成功将EMMI微光检测与OBIRCH激光诱导电阻变化两大主流分析功能深度融合，研发出全球领先的二合一检测设备。该设备采用模块化设计，单台即可完成半导体全链条检测需求，有效解决传统设备功能单一、操作繁琐等痛点。
在硬件配置方面，设备搭载自主研发的1.35倍大口径物镜与深度制冷近红外相机，实现纳安级微弱电流检测精度。EMMI模块可精准识别PN结击穿、闩锁效应等典型失效模式，检测灵敏度较国际同类产品提升30%。OBIRCH模块采用1300nm标准激光波段，配合500mW额定功率输出，能够检测pA级电流变化，对金属互联层、通孔等部位的隐蔽缺陷定位准确率达99.7%。
自入驻合肥科大硅谷以来，凌光红外依托区域产业生态优势，加速推进核心技术产业化进程。其研发的锁相红外显微镜、激光诱导电阻变化显微镜等系列产品已形成完整技术矩阵，其中三款设备获评安徽省首台套重大技术装备认定。通过参与产业链专场对接活动，企业与本地半导体龙头企业建立深度合作，累计完成超200次技术验证，推动国产检测设备在晶圆制造、封装测试等环节的规模化应用。
据技术团队介绍，LUXET VERITAS设备在研发过程中突破多项关键技术瓶颈：通过创新的光路耦合设计，将两个检测系统的空间占用减少45%；开发专用图像处理算法，使检测效率较传统分立设备提升2倍以上；采用自适应温控系统，确保设备在连续工作状态下的稳定性。这些技术突破使我国在高端半导体检测设备领域首次实现从"跟跑"到"并跑"的跨越。
目前，该设备已进入量产阶段，首批产品交付国内头部芯片设计企业。随着合肥集成电路产业集群的持续壮大，凌光红外正加快布局第三代半导体检测技术研发，计划年内推出针对碳化硅、氮化镓等材料的专用检测模块，为新能源汽车、5G通信等领域提供更完善的解决方案。
