国产存储芯片领军企业长鑫科技正式启动科创板上市进程，计划于7月16日开启新股申购。此次发行定价为每股8.66元，拟发行股份数量66.88亿股，占发行后总股本10%，预计募集资金总额达579.19亿元，有望成为2026年以来A股最大规模IPO。
在7月15日举行的网上投资者交流会上，公司董事长朱一明携高管团队回应市场关切。针对行业周期性波动风险，朱一明坦言，2025年下半年业绩增长得益于AI算力需求爆发带来的DRAM供需紧张，但该行业具有强周期特征。若未来AI应用落地不及预期或新增产能集中释放，行业可能重现下行周期。公司正通过工艺迭代、产能优化和成本管控构建抗风险能力，已在招股书中充分披露相关风险。
面对全球DRAM市场三星、SK海力士、美光三家合计占据超90%份额的竞争格局，朱一明表示将坚持自主创新战略。根据Omdia数据，按2025年第四季度销售额计算，长鑫科技以7.67%的市占率跃居全球第四，成为中国大陆唯一实现DRAM全链条自主可控的企业。公司目前已在合肥、北京布局三座12英寸晶圆厂，通过本次上市募集资金将加速工艺升级，进一步降低单位成本。
技术研发方面，公司构建了覆盖DDR系列、LPDDR系列的产品矩阵，提供从晶圆到模组的完整解决方案，满足服务器、移动设备、智能汽车等领域需求。截至2025年底，公司研发人员占比超30%，拥有6259名专业技术人员，累计获得境内专利3929项、境外专利3043项。其技术演进路径清晰，已完成四代工艺平台量产，2019年实现8Gb DDR4国产突破，2025年成功量产LPDDR5/5X等高端产品。
在产能建设领域，公司正推进多元化市场布局。基于现有出货量和销售额统计，其中国内市场占有率位居首位。未来将通过三大路径提升全球竞争力：持续深化1Xnm以下先进工艺研发，拓展车载、工控等中高端市场；借助资本市场融资加速产能扩张，在合肥基地建设新的12英寸晶圆生产线；构建全球化供应链体系，提升对欧美、东南亚等市场的交付能力。
关于国产化替代进程，朱一明强调DRAM作为数字经济核心芯片的战略价值。当前中国DRAM自给率仍处低位，公司通过本次上市将强化产能保障能力，助力国家信息基础设施建设。据预测，全球DRAM市场规模将从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元，年均复合增长率达30.56%，这为具备技术迭代能力的企业提供广阔发展空间。
针对2027-2028年海外厂商扩产可能带来的供给过剩风险，公司管理层表示将通过动态产能调配机制应对。一方面依托已形成的成本优势参与价格竞争，另一方面通过1Znm、1αnm等更先进制程提升产品附加值。目前其第四代工艺平台已实现良率突破，单位比特成本较国际大厂具有15%-20%的竞争优势。
