在NAND Flash闪存供应领域，三星与英伟达的合作正不断深化。据韩媒报道，三星正扩大对英伟达的V-NAND产能供应，目前供应量已超过其总产能的60%。V-NAND作为一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构，相较于平面NAND，能在相同芯片面积内容纳更多存储层，广泛应用于企业级SSD、数据中心存储及高容量移动存储产品。
随着AI服务器规模的持续扩大，临时上下文数据（Key-Value cache，即KV缓存）的规模也在急剧增长，这已逐渐形成数据瓶颈。为缓解这一限制，英伟达推出了Context Memory Storage（上下文内存存储，CMX）方案，而三星则成为该方案的关键NAND供应方。目前，英伟达用于AI服务器的CMX已搭载576块SSD，总存储容量高达9600TB。
业内分析指出，CMX对NAND的需求将持续攀升。预计到2026年，这一需求将达到3500万TB，而到2027年更将激增至1亿TB以上。面对如此庞大的市场需求，三星凭借其世界一流的NAND产能，计划成为英伟达CMX的核心供应商。据悉，三星今年的NAND产量预计将达到约2.5亿TB。
在产线规划上，三星电子的V-NAND产能已颇具规模，目前每月超过10万片晶圆。其中，V9（286层）产品占据60%的产能，且良率已提升至80%以上，进入量产稳定阶段。与此同时，V8产品的占比已降至40%以下，自去年以来，产能迅速向V9转移。
值得一提的是，三星还在积极研发更高堆叠层数的V10 NAND。这一新产品将允许英伟达在同一CMX模块内配置更高容量的SSD，从而更好地承接GPU外溢的上下文数据。三星还在研究面向英伟达CMX的V11 NAND，其最高堆叠高度可达500层，比V10多出100层。而V10的存储密度相较于V9（286层）已提高了50%，显示出三星在NAND技术领域的持续创新力。
