SK海力士在近期举办的FMS 2026峰会上公布了其新一代NAND闪存技术进展。作为全球存储芯片领域的领军企业，该公司正式确认将推出采用375层堆叠设计的V10 NAND产品，这是继321层V9 "4D NAND"后的重大技术突破。该产品首次应用晶圆键合技术，标志着SK海力士在三维存储架构领域迈入新阶段。
技术参数显示，V10 NAND在能效比方面实现显著提升，每瓦性能达到前代产品的2.5倍。这项突破性进展使其成为AI基础设施建设的理想选择，特别适用于需要同时满足高性能与低功耗需求的数据中心场景。根据规划，基于该技术的企业级固态硬盘将于2027年上半年进入量产阶段，预计将率先应用于云计算和超大规模数据中心领域。
在产品展示环节，SK海力士同步推出了多款创新型存储解决方案。其中32DP 2CH型号通过堆叠32个NAND Die，创造了TLC类型封装的新纪录。另一款4通道封装产品以13.5mm×12.5mm的紧凑尺寸，较传统14mm×18mm规格缩减了27%的占地面积，为设备小型化设计提供了更多可能。这些技术成果体现了公司在存储密度与空间利用率方面的双重突破。
移动存储领域同样亮点纷呈。基于V9H 1Tb TLC NAND的UG500解决方案成为全球首款UFS 5.0标准产品，提供512GB和1TB双容量选择。通过架构优化，其能效表现较UFS 4.1提升19%，特别适合5G智能手机和AR/VR设备等对续航敏感的应用场景。与此同时，采用1c nm制程的16Gb Die LPDDR6颗粒亮相，标志着低功耗内存技术进入全新世代。
针对消费级市场，SK海力士推出了首款PCIe Gen5 QLC固态硬盘PQF02。该产品采用V9 QLC NAND技术，提供1TB和2TB存储容量，通过4通道主控设计实现性能与成本的平衡。其M.2规格支持从2230到2280的全尺寸适配，为轻薄笔记本和迷你主机等设备提供了高性价比的存储升级方案。这项创新有望推动QLC技术在大容量消费存储市场的普及应用。
