在美国加州圣克拉拉会议中心举办的“AI基础设施峰会”上，AI内存技术成为焦点议题。半导体企业纷纷亮出技术路线图，其中三星电子推出的下一代AI内存方案引发广泛关注。该公司计划通过上月发布的zHBM技术，将AI加速器的运算响应速度提升至现有水平的十倍。
三星电子美国公司存储产品规划负责人金仁东在会上透露，当前对话式AI系统每秒仅能处理单个用户100个词元，而新方案的目标是突破至每秒1000个词元。他比喻zHBM的设计如同“在酒店客房与大堂间架设专用电梯”，通过将HBM芯片直接垂直堆叠在AI加速器上方，实现性能较HBM5提升8倍、能效提升3倍的突破。
在存储技术布局方面，三星同步宣布将于2028年启动三维存储方案zNAND-O的样品供应。这项技术被视为应对未来数据存储需求的重要储备，其具体技术参数尚未完全公开，但已引发行业对存储架构变革的讨论。
峰会期间，作为HBM补充方案的CXL技术遭遇质疑。这项旨在通过CPU连接扩展内存容量的技术，虽被部分厂商视为缓解HBM供应压力的解决方案，但实际应用效果存在争议。OpenAI加速器设计研究员丹尼尔·莫里斯指出，CXL目前仅适用于存储大型AI模型中的冷数据，在模型实时运算场景中尚未找到有效应用案例。
英特尔AI片上系统架构负责人维迪娅·蒂亚加拉詹从技术性能角度分析称，CXL在内存整合方面确有价值，但其数据传输速度与HBM存在代际差距，尤其在GPU集群间的数据交互场景中难以替代HBM的核心地位。这一观点得到行业广泛认同，预示着HBM市场主导者三星电子与SK海力士将继续保持技术优势。
当前半导体行业正面临AI算力需求指数级增长与内存技术迭代缓慢的矛盾。三星电子通过架构创新突破物理限制的尝试，以及CXL技术引发的行业争论，折射出全球AI基础设施建设的深层挑战。随着2028年三维存储技术的商用化进程推进，存储市场或将迎来新一轮技术竞争。
