盛美上海近日宣布，对其旗舰产品Ultra C wb湿法清洗设备进行了重大技术革新，旨在更好地适应先进半导体制造工艺的严苛标准。此次升级的核心在于引入了创新的氮气（N2）鼓泡技术，该技术目前正处于专利申请阶段。
传统的湿法刻蚀工艺在高深宽比结构中常面临均匀性差和副产物二次沉积的挑战。升级后的Ultra C wb设备通过氮气鼓泡技术，显著提高了磷酸传输效率，同时增强了湿法刻蚀槽内的温度、浓度和流速均匀性。这一改进有效防止了副产物在晶圆微结构中的积聚，提升了整体工艺质量。特别是在500层以上的3D NAND、3D DRAM和3D逻辑器件制造中，该技术展现出巨大的应用潜力。
盛美上海总经理王坚强调，性能提升一直是公司研发的首要目标。此次引入的集成氮气鼓泡技术，不仅提升了Ultra C wb的工艺性能，也进一步巩固了批式处理工艺在湿法加工领域的优势。相较于单晶圆湿法清洗，批式处理在成本效益、生产效率和化学品消耗方面均表现出色。
全新升级的Ultra C wb设备带来了多方面的性能提升。首先，氮气鼓泡技术的运用使得晶圆内及晶圆间的湿法刻蚀均匀性提高了50%以上，远超传统槽式湿法清洗设备。其次，该设备在颗粒去除方面表现出色，特别是在去除特殊磷酸添加剂的有机残留物方面，展现了卓越的清洗能力。升级后的清洗台模块已通过三道先进节点工艺的验证，可搭配多种化学药液使用，进一步扩展了工艺能力。
此次升级中的氮气鼓泡设计是盛美上海自主知识产权的成果，该设计能够生成均匀分布的大尺寸气泡，且气泡密度精准可控。这一核心技术不仅适用于Ultra C wb设备，还可应用于公司的Ultra C Tahoe平台，为客户未来的工艺需求提供有力支持。
作为半导体前道和先进晶圆级封装应用的工艺解决方案供应商，盛美上海的产品线涵盖了清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、PECVD设备、无应力抛光设备以及后道先进封装工艺设备等。近年来，公司持续加大研发创新力度，不断推出颠覆性技术。
从财报数据来看，盛美上海的发展势头强劲。2024年，公司实现营业收入56.18亿元，同比增长44.48%；归母净利润达到11.53亿元，同比增长26.65%。今年一季度，公司继续保持增长态势，实现营业收入13.06亿元，同比增长41.73%；归母净利润则大幅增长至2.46亿元，同比增长高达207.21%。
展望未来，盛美上海将继续拓展海外市场，并持续推动技术创新，以满足不断变化的半导体行业需求。目前，公司的PECVD、Track及炉管设备等产品线均在持续推进研发创新，为公司未来的增长奠定坚实基础。
