近期，科技圈内的焦点逐渐汇聚于各大手机厂商即将推出的年度旗舰产品，其中，搭载高通最新旗舰芯片的手机尤为引人瞩目。据可靠消息，高通骁龙峰会2025定于9月23日至25日召开，届时，备受期待的骁龙8 Elite 2芯片将揭开神秘面纱。而就在这一消息传出不久后，网络上出现了一份据称来自三星Galaxy S26 Edge的Geekbench跑分数据，引发了广泛关注。
一位知名数码领域博主@体验more在社交平台上分享了这份数据。据其介绍，三星Galaxy S26 Edge将搭载专为三星定制的骁龙8 Elite 2超频版芯片。该芯片在单核测试中取得了3393分，多核测试更是高达11515分，性能表现十分强劲。据悉，这款定制芯片采用了独特的CPU设计，内置2颗主频高达4.74GHz的超大核以及6颗3.63GHz的大核。值得注意的是，国内厂商所使用的普通版本芯片主频将略低，约为4.6GHz。而在GPU方面，Adreno 840图形处理器的加入，无疑将为游戏和高性能应用提供强大支持。
除了强大的处理器性能，三星Galaxy S26 Edge在其他方面的表现同样值得期待。据此前曝光的消息，这款手机将继续沿用其标志性的超薄机身设计，并引入了新材料电池技术，有望带来续航能力的显著提升。关于电池容量，目前存在两种说法：官方宣称的4400mAh与供应链透露的4200mAh。尽管具体数值尚存争议，但无论是哪一种，相较于前代产品Galaxy S25 Edge的3900mAh，都有明显进步。
三星计划在明年1月正式发布Galaxy S26系列，该系列将包含三款机型，分别是Galaxy S26、Galaxy S26 Edge以及Galaxy S26 Ultra。随着发布日期的临近，更多关于这三款手机的详细信息也将逐步揭晓。
