【ITBEAR科技资讯】4月7日消息，据日经xTECH报道，铠侠首席技术官宫岛英史在第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上宣布，公司计划在2030至2031年间推出具有1000层堆叠的3D NAND闪存。同时，他还透露了公司对存储级内存(SCM)业务进行重组的计划。
铠侠与合作伙伴西部数据共同开发的NAND闪存技术已取得显著进展，他们目前最尖端的产品是218层堆叠的BICS8 3D闪存，其I/O速率可达到3200MT/s。宫岛英史指出，提升堆叠层数是提高单颗3D NAND闪存颗粒容量的关键途径，但随着层数的增加，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度也逐渐加大。为应对这一挑战，铠侠在BICS8中采用了双堆栈工艺。
与此同时，另一NAND闪存巨头三星也在积极研发高层数堆叠的3D NAND闪存。三星在2022年的技术日上预测，到2030年将实现1000+层堆叠的3D NAND闪存。据ITBEAR科技资讯了解，随着堆叠层数的提升，高深宽比蚀刻技术的难度和耗时也在不断增加，这成为制约NAND闪存发展的一个关键因素。
在演讲中，宫岛英史还强调了铠侠在存储级内存(SCM)领域的发展策略。他表示，在AI技术的推动下，DRAM和NAND之间的性能差距正在扩大，因此铠侠看到了SCM市场的巨大潜力。为此，铠侠决定将此前的“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”，以专注于MRAM、FeRAM、ReRAM等新型内存的研发。据悉，铠侠有望在2至3年内推出SCM产品。
铠侠之前在SCM领域主要聚焦于XL-FLASH闪存方案。2022年，该公司成功推出了支持MLC模式的第二代XL-FLASH产品，进一步丰富了其在新型存储产品领域的布局。
