英伟达近日公布了一项重大决策，计划自主研发基于3nm工艺的HBM内存Base Die，并预计在2027年下半年进入小规模试产阶段。这一举措背后，是公司意在弥补在HBM技术与生态系统上的不足。
据悉，英伟达未来的HBM供应链模式将发生转变，将采用“内存原厂DRAM Die结合英伟达自研Base Die”的新组合。这一变化标志着英伟达在高性能计算存储架构的垂直整合策略上迈出了重要一步。
HBM（高带宽内存）在AI芯片领域的重要性日益凸显，已成为突破“存储墙”的关键技术。从A100系列到Blackwell Ultra系列，HBM在芯片物料成本中的占比已超过半数。当前，HBM市场主要由SK海力士、三星和美光三大厂商主导，其中SK海力士占据领先地位。
随着HBM4时代的到来，对传输速率的要求将达到10Gbps以上，Base Die的制造必须依赖先进逻辑制程，如台积电等晶圆代工厂将成为关键合作伙伴。
英伟达自研Base Die的举措，不仅旨在增强供应链中的议价能力，更着眼于通过引入高性能特性，提升HBM与GPU/CPU之间的数据传输效率，从而进一步巩固其在NVLink-Fusion开放架构生态中的地位。
这一战略决策将对现有的存储芯片厂商产生冲击。英伟达的加入将打破以SK海力士为代表的存储原厂的技术垄断，迫使其角色从提供整体解决方案转向单纯的组件供应商。同时，混合键合、新型中介层等配套技术的需求预计将大幅提升，为上游材料与设备产业带来新的发展机遇。
尽管英伟达自研的Base Die方案可能难以直接被大型芯片封装厂（CSP）采纳，但其模组化设计有望为联发科、世芯等合作伙伴带来利好。随着英伟达与SK海力士在HBM4量产上的竞相推进，HBM市场即将迎来一场激烈的竞争和格局的重塑。
